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e络盟供货安世半导体功率氮化镓场效应晶体管, 助力电动车、5G 和物联网应用降低功率损耗

2020-09-18 15:09:55 来源:e络盟
全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。该创新系列GaN FET外形尺寸小,可实现高功率密度及高效率功率转换,能够以较低的成本开发出更高效系统,同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求,实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。  
 

GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限,可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。在电动车领域,GaN技术可直接降低功率损耗,从而为汽车实现更长的行驶里程。同时,更高效的功率转换还能降低使用冷却系统进行散热的需求,这有利于减轻车身重量并降低系统复杂性,继而可实现更长的行驶里程,或是使用更小的电池达到相同的里程。  功率GaN FET也非常适用于数据中心、电信基础设施及工业领域应用。
 
GaN FET系列可为各种方案应用提供卓越性能,包括AC-DC图腾柱PFC硬开关应用、LLC移相全桥软开关应用(谐振或固定频率)、所有DC-AC逆变器拓扑以及使用双向开关的AC-AC矩阵式转换器等。 
 
主要优势包括:

  • 栅极驱动简单、低 RDS(on)及快速开关
  • 卓越的体二极管(低Vf)、低反向恢复电荷 Qrr
  • 坚固耐用
  • 低动态 RDS(on)
  • 开关性能稳定
  • 栅极驱动抗干扰性强 (Vth ~ 4 V)
 
Farnelle络盟全球半导体与单板计算机总监Lee Turner表示:“安世半导体以其丰富多样的创新半导体产品而享誉全球。我们很高兴能够引入安世半导体的功率GaN FET系列,以便进一步提升对客户的支持服务。GaN是高效电源设计领域的前沿技术,此次引入的这些新产品将是未来创新物联网汽车和通信设计方案的关键组成部分。”
 
为了支持寻求采用GaN FET技术的客户,Farnell和e络盟社区共同举办了一次网络研讨会,邀请了来自安世半导体的GaN国际产品营销工程师Ilian Bonov“深入剖析”这项新技术。网络研讨会主题为 “采用安世半导体GaN FET设计高效、稳定的工业电源”,全面介绍了安世半导体cascode技术的特点及其在软硬开关拓扑中的应用优势,并分享了一项4kW图腾柱 PFC案例研究。观看本次研讨会视频,请访问:
http://www.element14.com/community/events/5572/l/designing-high-efficiency-and-robust-industrial-power-supplies-with-nexperia-gan-fets。
 
客户可通过Farnell(欧洲、中东和非洲地区)、Newark(北美地区) 及e络盟(亚太区)购买安世半导体GaN FET系列产品。


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